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Specifiche

Modello di prodotti

JAN1N6076
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

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Descrizione

DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

JAN1N6076.pdf
Modello ECAD
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

1.76V @ 18.8A
Tensione - inversa (Vr) (max)

50V
Contenitore dispositivo fornitore

E-PAK
Velocità

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Military, MIL-PRF-19500/503
Tempo di ripristino inverso (trr)

30ns
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

E, Axial
Altri nomi

1086-19450
1086-19450-MIL
Temperatura di funzionamento - Giunzione

-65°C ~ 155°C
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo

Standard
Descrizione dettagliata

Diode Standard 50V 1.3A Through Hole E-PAK
Corrente - Dispersione inversa a Vr

5µA @ 50V
Corrente - raddrizzata media (Io)

1.3A
Capacità a Vr, F

-

Notizie correlate
spedizione
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RNCF0805BKE10R5

Descrizione: RES 10.5 OHM 0.1% 1/8W 0805

Produttori: Stackpole Electronics, Inc.

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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