JAN1N6073

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Specifiche

Modello di prodotti

JAN1N6073
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

JAN1N6073.pdf
Modello ECAD
Tensione - Picco inversa (max)

Standard
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

850mA
Tensione - Ripartizione

A-PAK
Serie

Military, MIL-PRF-19500/503
Stato RoHS

Bulk
Tempo di ripristino inverso (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistenza a If, F

-
Polarizzazione

A, Axial
Altri nomi

1086-19447
1086-19447-MIL
Temperatura di funzionamento - Giunzione

30ns
Tipo montaggio

Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore

JAN1N6073
Descrizione espansione

Diode Standard 50V 850mA Through Hole A-PAK
Configurazione diodo

1µA @ 50V
Descrizione

DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL
Corrente - Dispersione inversa a Vr

2.04V @ 9.4A
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)

50V
Capacità a Vr, F

-65°C ~ 155°C

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "JAN1N6073".

JAN1N6055A

Descrizione: TVS DIODE 40V 64.8V DO13

Produttori: Microsemi

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