APTM120DU29TG

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Specifiche

Modello di prodotti

APTM120DU29TG
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APTM120DU29TG.pdf
2.APTM120DU29TG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 5mA
Contenitore dispositivo fornitore

SP4
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

348 mOhm @ 17A, 10V
Potenza - Max

780W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SP4
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

374nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

1200V (1.2kV)
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

34A

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APTM120DU29TG".

CRCW0805383KFKEB

Descrizione: RES SMD 383K OHM 1% 1/8W 0805

Produttori: Dale / Vishay

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RFQ

Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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