APTM120DA29TG

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Specifiche

Modello di prodotti

APTM120DA29TG
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APTM120DA29TG.pdf
2.APTM120DA29TG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SP4
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

348 mOhm @ 17A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

780W (Tc)
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SP4
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

374nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

1200V
Descrizione dettagliata

N-Channel 1200V 34A (Tc) 780W (Tc) Chassis Mount SP4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

Notizie correlate
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APTM120A80FT1G

Descrizione: MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1

Produttori: Microsemi

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