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Specifiche

Modello di prodotti

APTM10HM09FT3G
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APTM10HM09FT3G.pdf
2.APTM10HM09FT3G.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 2.5mA
Contenitore dispositivo fornitore

SP3
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

10 mOhm @ 69.5A, 10V
Potenza - Max

390W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SP3
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9875pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

350nC @ 10V
Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

139A

Notizie correlate
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Stal***e

20/05/2025

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