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APTM10DDAM19T3G

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Specifiche

Modello di prodotti

APTM10DDAM19T3G
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APTM10DDAM19T3G.pdf
2.APTM10DDAM19T3G.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore

SP3
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

21 mOhm @ 35A, 10V
Potenza - Max

208W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SP3
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5100pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

70A

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APTM10DDAM19T3G".

STMM-122-01-L-D-SM

Descrizione: 2MM TERMINAL STRIPS

Produttori: Samtec, Inc.

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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