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Specifiche

Modello di prodotti

APT97N65LC6
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 650V 97A TO-264
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

APT97N65LC6.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3.5V @ 2.96mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-264 [L]
Serie

CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

41 mOhm @ 48.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

862W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-264-3, TO-264AA
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7650pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

650V
Descrizione dettagliata

N-Channel 650V 97A (Tc) 862W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

97A (Tc)

Notizie correlate
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APT9F100B

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247

Produttori: Microsemi

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