APT94N65B2C6

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Specifiche

Modello di prodotti

APT94N65B2C6
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APT94N65B2C6.pdf
2.APT94N65B2C6.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3.5V @ 3.5mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

T-MAX™ [B2]
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

35 mOhm @ 35.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

833W (Tc)
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

TO-247-3 Variant
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8140pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

320nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

Super Junction
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

650V
Descrizione dettagliata

N-Channel 650V 95A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

95A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APT94N65B2C6".

APT90DR160HJ

Descrizione: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Produttori: Microsemi

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