APT66M60B2

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Specifiche

Modello di prodotti

APT66M60B2
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APT66M60B2.pdf
2.APT66M60B2.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

T-MAX™ [B2]
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

100 mOhm @ 33A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1135W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3 Variant
Altri nomi

APT66M60B2MI
APT66M60B2MI-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

23 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13190pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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20/05/2025

5.0

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