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APT65GP60B2G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT65GP60B2G
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 100A 833W TMAX
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APT65GP60B2G.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.7V @ 15V, 65A
  • Condizione di test
    400V, 65A, 5 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    30ns/91ns
  • di scambio energetico
    605µJ (on), 896µJ (off)
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Potenza - Max
    833W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3 Variant
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    PT
  • carica gate
    210nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    250A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100A

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APT60S20SG

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Descrizione: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Produttori: Microsemi Corporation
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APT64GA90LD30

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Descrizione: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Produttori: Microsemi
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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Produttori: Microsemi
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APT64GA90B

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Descrizione: IGBT 900V 117A 500W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
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APT68GA60B

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Descrizione: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 60A TO-247

Produttori: Microsemi
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APT66F60B2

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Produttori: Microsemi
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APT60S20B2CTG

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Descrizione: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
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APT60S20SG/TR

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Descrizione: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Produttori: Microsemi Corporation
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APT60N60SCSG

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Produttori: Microsemi
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APT65GP60L2DQ2G

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Descrizione: IGBT 600V 198A 833W TO264

Produttori: Microsemi
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APT66M60B2

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Produttori: Microsemi
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APT68GA60B2D40

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Descrizione: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
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APT66M60L

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Produttori: Microsemi
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APT64GA90B2D30

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Descrizione: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Produttori: Microsemi
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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Produttori: Microsemi
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APT65GP60J

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Descrizione: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Produttori: Microsemi
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APT68GA60LD40

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Descrizione: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Produttori: Microsemi
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Descrizione: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Produttori: Microsemi
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APT6M100K

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Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Produttori: Microsemi
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