APT200GT60JR

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Specifiche

Modello di prodotti

APT200GT60JR
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT 600V 195A ISOTOP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

APT200GT60JR.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2.5V @ 15V, 200A
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-227
Serie

Thunderbolt IGBT®
Potenza - Max

500W
Contenitore / involucro

SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Termistore NTC

No
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

8.65nF @ 25V
Ingresso

Standard
Tipo IGBT

NPT
Descrizione dettagliata

IGBT Module NPT Single 600V 195A 500W Chassis Mount SOT-227
Corrente - Cutoff collettore (max)

25µA
Corrente - collettore (Ic) (max)

195A
Configurazione

Single

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APT200GT60JR".

APT200GN60JDQ4

Descrizione: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Produttori: Microsemi

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