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5245175Immagine APT200GN60B2G.Microsemi

APT200GN60B2G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT200GN60B2G
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 283A 682W TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.APT200GN60B2G.pdf
    2.APT200GN60B2G.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    1.85V @ 15V, 200A
  • Condizione di test
    400V, 200A, 1 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    50ns/560ns
  • di scambio energetico
    13mJ (on), 11mJ (off)
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    682W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • Altri nomi
    APT200GN60B2GMI
    APT200GN60B2GMI-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • carica gate
    1180nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    600A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    283A

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