CSD19501KCS

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Specifiche

Modello di prodotti

CSD19501KCS
Costruttore / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS

Richiedi la verifica dell'inventario / conforme alla normativa RoHS
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220-3
Serie

NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

6.6 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

217W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

296-37286-5
CSD19501KCS-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

35 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Request inventory verification / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3980pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

80V
Descrizione dettagliata

N-Channel 80V 100A (Ta) 217W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Ta)

Notizie correlate
spedizione
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CSD18541F5T

Descrizione:

Produttori: Luminary Micro / Texas Instruments

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