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Specifiche

Modello di prodotti

CSD18543Q3AT
Costruttore / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.7V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-VSON (3.3x3.3)
Serie

NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

15.6 mOhm @ 12A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

66W (Tc)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

8-PowerVDFN
Altri nomi

296-45302-1
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

35 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 12A (Ta), 60A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta), 60A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "CSD18543Q3AT".

CSD19505KTTT

Descrizione: MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

Produttori: Luminary Micro / Texas Instruments

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