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Specifiche

Modello di prodotti

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Costruttore / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS conforme
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-VSONP (5x6)
Serie

NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

5.9 mOhm @ 18A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

3.2W (Ta), 116W (Tc)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
Altri nomi

296-41959-1
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

35 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2750pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 17A (Ta), 100A (Tc) 3.2W (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Ta), 100A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Descrizione:

Produttori: Luminary Micro / Texas Instruments

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