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Specifiche

Modello di prodotti

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Costruttore / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantità stock

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Descrizione

MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DDPAK/TO-263-3
Serie

NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

1.6 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

375W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Altri nomi

296-44122-2
CSD18536KTTT-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

2 (1 Year)
Produttore tempi di consegna standard

35 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11430pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 200A (Ta), 279A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

200A (Ta), 279A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "CSD18536KTTT".

RBM36DCWD-S884

Descrizione: CONN EDGE DUAL FMALE 72POS 0.156

Produttori: Sullins Connector Solutions

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20/05/2025

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