EPC8010ENGR

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Specifiche

Modello di prodotti

EPC8010ENGR
Costruttore / Marca

EPC
Quantità stock

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Descrizione

TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

EPC8010ENGR.pdf
Modello ECAD
Tensione - Prova

55pF @ 50V
Tensione - Ripartizione

Die
Vgs (th) (max) a Id

160 mOhm @ 500mA, 5V
Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)
Serie

eGaN®
Stato RoHS

Tray
Rds On (max) a Id, Vgs

2.7A (Ta)
Polarizzazione

-
Altri nomi

917-EPC8010ENGR
EPC8010ENGJ
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore

EPC8010ENGR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

0.48nC @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

2.5V @ 250µA
Caratteristica FET

N-Channel
Descrizione espansione

N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
Tensione drain-source (Vdss)

-
Descrizione

TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

100V
rapporto di capacità

-

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "EPC8010ENGR".

EPC8004ENGR

Descrizione: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE

Produttori: EPC

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