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EPC2039

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    EPC2039
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS GAN 80V BUMPED DIE
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 2mA
  • Vgs (Max)
    +6V, -4V
  • Tecnologia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Die
  • Serie
    eGaN®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    25 mOhm @ 6A, 5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    Die
  • Altri nomi
    917-1147-2
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    12 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    210pF @ 40V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    2.4nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    80V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 80V 6.8A (Ta) Surface Mount Die
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6.8A (Ta)
LQP02HQ2N7C02E

LQP02HQ2N7C02E

Descrizione: FIXED IND 2.7NH 450MA 200 MOHM

Produttori: Murata Electronics
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