EPC2035

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Specifiche

Modello di prodotti

EPC2035
Costruttore / Marca

EPC
Quantità stock

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Descrizione

TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.EPC2035.pdf
2.EPC2035.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 800µA
Vgs (Max)

+6V, -4V
Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore

Die
Serie

eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs

45 mOhm @ 1A, 5V
Dissipazione di potenza (max)

-
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

Die
Altri nomi

917-1099-6
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

115pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

1.15nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 1A (Ta) Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "EPC2035".

SIT8209AI-82-25S-166.600000Y

Descrizione: -40 TO 85C, 7050, 25PPM, 2.5V, 1

Produttori: SiTime

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Stal***e

20/05/2025

5.0

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