EPC2033ENGRT

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Specifiche

Modello di prodotti

EPC2033ENGRT
Costruttore / Marca

EPC
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

EPC2033ENGRT.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 9mA
Vgs (Max)

+6V, -4V
Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore

Die
Serie

eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs

7 mOhm @ 25A, 5V
Dissipazione di potenza (max)

-
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

Die
Altri nomi

917-1141-2
917-1141-2-ND
917-EPC2033ENGRTR
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1140pF @ 75V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Tensione drain-source (Vdss)

150V
Descrizione dettagliata

N-Channel 150V 31A (Ta) Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

31A (Ta)

Notizie correlate
spedizione
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EPC2033ENGR

Descrizione: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE

Produttori: EPC

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