ZXMC4559DN8TC

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Specifiche

Modello di prodotti

ZXMC4559DN8TC
Costruttore / Marca

Diodes Incorporated
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

ZXMC4559DN8TC.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 250µA (Min)
Contenitore dispositivo fornitore

8-SO
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

55 mOhm @ 4.5A, 10V
Potenza - Max

2.1W
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi

ZXMC4559DN8TCDICT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1063pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

20.4nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.6A, 2.6A 2.1W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A, 2.6A

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ZXMD63N02XTC

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP

Produttori: Diodes Incorporated

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