ZXMC3AM832TA

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Specifiche

Modello di prodotti

ZXMC3AM832TA
Costruttore / Marca

Diodes Incorporated
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

ZXMC3AM832TA.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 250µA (Min)
Contenitore dispositivo fornitore

8-MLP (3x3)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

120 mOhm @ 2.5A, 10V
Potenza - Max

1.7W
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

8-VDFN Exposed Pad
Altri nomi

1034-ZXMC3AM832TACT
temperatura di esercizio

-
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.9A, 2.1A 1.7W Surface Mount 8-MLP (3x3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A, 2.1A

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "ZXMC3AM832TA".

ZXM66P02N8TA

Descrizione: MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC

Produttori: Diodes Incorporated

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