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CDBDSC8650-G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CDBDSC8650-G
  • Costruttore / Marca
    Comchip Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    CDBDSC8650-G.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.7V @ 8A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    650V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D-PAK (TO-252)
  • Velocità
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    0ns
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    641-1932
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    16 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descrizione dettagliata
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 25.5A (DC) Surface Mount D-PAK (TO-252)
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    100µA @ 650V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    25.5A (DC)
  • Capacità a Vr, F
    550pF @ 0V, 1MHz

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