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Specifiche

Modello di prodotti

CDBDSC10650-G
Costruttore / Marca

Comchip Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

CDBDSC10650-G.pdf
Modello ECAD
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

1.7V @ 10A
Tensione - inversa (Vr) (max)

650V
Contenitore dispositivo fornitore

D-PAK (TO-252)
Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

0ns
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

641-1928
Temperatura di funzionamento - Giunzione

-55°C ~ 175°C
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo

Silicon Carbide Schottky
Descrizione dettagliata

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 33A (DC) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Corrente - Dispersione inversa a Vr

100µA @ 650V
Corrente - raddrizzata media (Io)

33A (DC)
Capacità a Vr, F

690pF @ 0V, 1MHz

Notizie correlate
spedizione
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Review (1)

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20/05/2025

5.0

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