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TPH3208LD

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Specifiche

Modello di prodotti

TPH3208LD
Costruttore / Marca

Transphorm
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 650V 20A PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

TPH3208LD.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.6V @ 300µA
Vgs (Max)

±18V
Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore

PQFN (8x8)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

130 mOhm @ 13A, 8V
Dissipazione di potenza (max)

96W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

4-PowerDFN
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 400V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 8V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

8V
Tensione drain-source (Vdss)

650V
Descrizione dettagliata

N-Channel 650V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "TPH3208LD".

CTVP00RF-19-88PB-P2

Descrizione: CONN RCPT MALE 88POS GOLD SOLDER

Produttori: Amphenol Aerospace Operations

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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