US1K R3G

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Specifiche

Modello di prodotti

US1K R3G
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

US1K R3G.pdf
Modello ECAD
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

1.7V @ 1A
Tensione - inversa (Vr) (max)

800V
Contenitore dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)
Velocità

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

75ns
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

DO-214AC, SMA
Altri nomi

US1K R3GCT
US1K R3GCT-ND
US1KR3GCT
Temperatura di funzionamento - Giunzione

-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

17 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo

Standard
Descrizione dettagliata

Diode Standard 800V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Corrente - Dispersione inversa a Vr

5µA @ 800V
Corrente - raddrizzata media (Io)

1A
Capacità a Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Notizie correlate
spedizione
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US1JHE3/61T

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay

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