US1B R3G

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Specifiche

Modello di prodotti

US1B R3G
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

US1B R3G.pdf
Modello ECAD
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

1V @ 1A
Tensione - inversa (Vr) (max)

100V
Contenitore dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)
Velocità

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

50ns
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

DO-214AC, SMA
Altri nomi

US1B R3GTR
US1B R3GTR-ND
US1BR3GTR
Temperatura di funzionamento - Giunzione

-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo

Standard
Descrizione dettagliata

Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Corrente - Dispersione inversa a Vr

5µA @ 100V
Corrente - raddrizzata media (Io)

1A
Capacità a Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "US1B R3G".

US1B-13

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Produttori: Diodes Incorporated

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