TSM80N950CP ROG

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Specifiche

Modello di prodotti

TSM80N950CP ROG
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

TSM80N950CP ROG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

950 mOhm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

110W (Tc)
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

TSM80N950CP ROGDKR
TSM80N950CP ROGDKR-ND
TSM80N950CPROGDKR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard

30 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

691pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

19.6nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

800V
Descrizione dettagliata

N-Channel 800V 6A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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TSM80N950CH C5G

Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)

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