TSM650P02CX RFG

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Specifiche

Modello di prodotti

TSM650P02CX RFG
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

TSM650P02CX RFG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

800mV @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-23
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

65 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

1.56W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

TSM650P02CX RFGTR
TSM650P02CX RFGTR-ND
TSM650P02CXRFGTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

40 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

515pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

5.1nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

P-Channel 20V 4.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

4.1A (Tc)

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "TSM650P02CX RFG".

TSM6963SDCA RVG

Descrizione: MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A 8TSSOP

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)

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