TSM60NB1R4CP ROG

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Specifiche

Modello di prodotti

TSM60NB1R4CP ROG
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

TSM60NB1R4CP ROG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

1.4 Ohm @ 900mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

28.4W (Tc)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

TSM60NB1R4CP ROGCT
TSM60NB1R4CP ROGCT-ND
TSM60NB1R4CPROGCT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard

36 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

257.3pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

7.12nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 3A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "TSM60NB1R4CP ROG".

TSM60NB600CF C0G

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 8A ITO220S

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)

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