TSM60N1R4CP ROG

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Specifiche

Modello di prodotti

TSM60N1R4CP ROG
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 3.3A TO252
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

TSM60N1R4CP ROG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

1.4 Ohm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

38W (Tc)
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

TSM60N1R4CP ROGDKR
TSM60N1R4CP ROGDKR-ND
TSM60N1R4CPROGDKR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 3.3A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "TSM60N1R4CP ROG".

45370-T12

Descrizione: CIR REDUCT SLEEVE 16 TO 22 AU

Produttori: Cannon

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RFQ

Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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