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TSM150P03PQ33 RGG

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Specifiche

Modello di prodotti

TSM150P03PQ33 RGG
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

TSM150P03PQ33 RGG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-PDFN (3x3)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

15 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

27.8W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerWDFN
Altri nomi

TSM150P03PQ33 RGGTR
TSM150P03PQ33 RGGTR-ND
TSM150P03PQ33RGGTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard

32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1829pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

29.3nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

P-Channel 30V 36A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

36A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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