TSM061NA03CV RGG

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Specifiche

Modello di prodotti

TSM061NA03CV RGG
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

TSM061NA03CV RGG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-PDFN (3x3)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

6.1 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

44.6W (Tc)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

8-PowerWDFN
Altri nomi

TSM061NA03CV RGGCT
TSM061NA03CV RGGCT-ND
TSM061NA03CVRGGCT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

30 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1136pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

19.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 66A (Tc) 44.6W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

66A (Tc)

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "TSM061NA03CV RGG".

TSM05N03CW RPG

Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)

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