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6463477Immagine SS12 R3G.TSC (Taiwan Semiconductor)

SS12 R3G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SS12 R3G
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO214AC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    500mV @ 1A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    20V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-214AC (SMA)
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    DO-214AC, SMA
  • Altri nomi
    SS12 R3GTR
    SS12 R3GTR-ND
    SS12R3GTR
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 125°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    23 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Schottky
  • Descrizione dettagliata
    Diode Schottky 20V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    200µA @ 20V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    -
MT44K32M18RB-125F:A TR

MT44K32M18RB-125F:A TR

Descrizione: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Produttori: Micron Technology
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