S4J R7G

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Specifiche

Modello di prodotti

S4J R7G
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

S4J R7G.pdf
Modello ECAD
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

1.15V @ 4A
Tensione - inversa (Vr) (max)

600V
Contenitore dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)
Velocità

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

DO-214AB, SMC
Altri nomi

S4J R7GTR
S4J R7GTR-ND
S4JR7GTR
Temperatura di funzionamento - Giunzione

-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo

Standard
Descrizione dettagliata

Diode Standard 600V 4A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Corrente - Dispersione inversa a Vr

10µA @ 600V
Corrente - raddrizzata media (Io)

4A
Capacità a Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "S4J R7G".

NUR460/L04,112

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD

Produttori: NXP Semiconductors / Freescale

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