RS1JL RVG

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Specifiche

Modello di prodotti

RS1JL RVG
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

RS1JL RVG.pdf
Modello ECAD
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

1.3V @ 800mA
Tensione - inversa (Vr) (max)

600V
Contenitore dispositivo fornitore

Sub SMA
Velocità

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

250ns
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

DO-219AB
Altri nomi

RS1JL RVGDKR
RS1JL RVGDKR-ND
RS1JLRVGDKR
Temperatura di funzionamento - Giunzione

-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

25 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo

Standard
Descrizione dettagliata

Diode Standard 600V 800mA Surface Mount Sub SMA
Corrente - Dispersione inversa a Vr

5µA @ 600V
Corrente - raddrizzata media (Io)

800mA
Capacità a Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Notizie correlate
spedizione
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RS1JL R3G

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)

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