MUR4L60 R0G

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Specifiche

Modello di prodotti

MUR4L60 R0G
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

MUR4L60 R0G.pdf
Modello ECAD
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

1.28V @ 4A
Tensione - inversa (Vr) (max)

600V
Contenitore dispositivo fornitore

DO-201AD
Velocità

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

50ns
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

DO-201AD, Axial
Altri nomi

MUR4L60 R0G-ND
MUR4L60R0G
Temperatura di funzionamento - Giunzione

-55°C ~ 175°C
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo

Standard
Descrizione dettagliata

Diode Standard 600V 4A Through Hole DO-201AD
Corrente - Dispersione inversa a Vr

10µA @ 600V
Corrente - raddrizzata media (Io)

4A
Capacità a Vr, F

65pF @ 4V, 1MHz

Notizie correlate
spedizione
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Descrizione: DIODE GEN PURP REV 100V 50A DO5

Produttori: GeneSiC Semiconductor

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