ES3DB R5G

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Specifiche

Modello di prodotti

ES3DB R5G
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

ES3DB R5G.pdf
Modello ECAD
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

1V @ 3A
Tensione - inversa (Vr) (max)

200V
Contenitore dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)
Velocità

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

35ns
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

DO-214AA, SMB
Altri nomi

ES3DB R5GCT
ES3DB R5GCT-ND
ES3DBR5GCT
Temperatura di funzionamento - Giunzione

-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo

Standard
Descrizione dettagliata

Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Corrente - Dispersione inversa a Vr

10µA @ 200V
Corrente - raddrizzata media (Io)

3A
Capacità a Vr, F

46pF @ 4V, 1MHz

Notizie correlate
spedizione
Metodi di pagamento

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Di seguito sono riportati prodotti correlati "ES3DB R5G".

1KSMB56AHM4G

Descrizione: TVS DIODE 47.8V 77V DO214AA

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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