6A80G R0G

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Specifiche

Modello di prodotti

6A80G R0G
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 800V 6A R-6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

6A80G R0G.pdf
Modello ECAD
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

1V @ 6A
Tensione - inversa (Vr) (max)

800V
Contenitore dispositivo fornitore

R-6
Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

R6, Axial
Altri nomi

6A80G R0G-ND
6A80GR0G
Temperatura di funzionamento - Giunzione

-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo

Standard
Descrizione dettagliata

Diode Standard 800V 6A Through Hole R-6
Corrente - Dispersione inversa a Vr

10µA @ 800V
Corrente - raddrizzata media (Io)

6A
Capacità a Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "6A80G R0G".

532KC000593DGR

Descrizione: DUAL FREQUENCY XO, OE PIN 2

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)

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RFQ

Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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