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GP1S092HCPIF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    GP1S092HCPIF
  • Costruttore / Marca
    Sharp Microelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    GP1S092HCPIF.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    35V
  • Digitare
    Unamplified
  • Serie
    -
  • Metodo di rilevazione
    Transmissive
  • Distanza di rilevamento
    0.079" (2mm)
  • Tempo di risposta
    50µs, 50µs
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    4-SMD
  • Configurazione di uscita
    Phototransistor
  • Altri nomi
    1855-1001-1
    425-1962-1
    425-1962-1-ND
  • temperatura di esercizio
    -25°C ~ 85°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    Optical Sensor Transmissive 0.079" (2mm) Phototransistor 4-SMD
  • Corrente - DC Forward (If) (Max)
    50mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    20mA

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GP1S096HCZ0F

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Produttori: Sharp Microelectronics
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Descrizione: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

Produttori: Sharp Microelectronics
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Produttori: Global Power Technologies Group
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Descrizione:

Produttori: Socle Technology Corporation
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Descrizione:

Produttori: SHARP
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Descrizione:

Produttori: Socle Technology Corporation
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Descrizione: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB

Produttori: Sharp Microelectronics
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Descrizione: PHOTOINTERRUPTER SLOT 1.0MM PCB

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Descrizione: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
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GP1S092HCPI

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Descrizione: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM SMD

Produttori: Sharp Microelectronics
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GP1M020A050N

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Descrizione: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
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Descrizione: MOSFET N-CH 200V 18A TO220

Produttori: Global Power Technologies Group
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Descrizione: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F

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