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3014575Immagine STY60NM50.STMicroelectronics

STY60NM50

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    STY60NM50
  • Costruttore / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    STY60NM50.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    MAX247™
  • Serie
    MDmesh™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    50 mOhm @ 30A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    560W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • Altri nomi
    497-2775-5
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    42 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    7500pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    266nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    500V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 500V 60A (Tc) 560W (Tc) Through Hole MAX247™
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

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Descrizione:

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Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descrizione: MOSFET N-CH 900V 26A MAX247

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 60A MAX247

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Descrizione: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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