STW9N150

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Specifiche

Modello di prodotti

STW9N150
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STW9N150.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247-3
Serie

PowerMESH™
Rds On (max) a Id, Vgs

2.5 Ohm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

320W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
Altri nomi

497-8465-5
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3255pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

89.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

1500V
Descrizione dettagliata

N-Channel 1500V 8A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-247-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STW9N150".

STWA12N120K5

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247-3

Produttori: STMicroelectronics

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