STW35N60M2-EP

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Specifiche

Modello di prodotti

STW35N60M2-EP
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET
Stato Lead senza piombo / RoHS
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

-
Vgs (Max)

-
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247
Serie

MDmesh™ M2-EP
Rds On (max) a Id, Vgs

-
Dissipazione di potenza (max)

-
Contenitore / involucro

TO-247-3
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

-
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V Through Hole TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

-

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STW35N60M2-EP".

STW34N65M5

Descrizione: MOSFET N-CH 650V 28A TO-247

Produttori: STMicroelectronics

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