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Specifiche

Modello di prodotti

STW21N65M5
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 650V 17A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STW21N65M5.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247-3
Serie

MDmesh™ V
Rds On (max) a Id, Vgs

190 mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
Altri nomi

497-10654-5
STW21N65M5-ND
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1950pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

650V
Descrizione dettagliata

N-Channel 650V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STW21N65M5".

8D717W06SN-LC

Descrizione: CONN RCPT HSNG FMALE 6POS PNL MT

Produttori: Souriau Connection Technology

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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