STW200NF03

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Specifiche

Modello di prodotti

STW200NF03
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 120A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STW200NF03.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247-3
Serie

STripFET™ II
Rds On (max) a Id, Vgs

2.8 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

350W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 120A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Notizie correlate
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STW20NK70Z

Descrizione: MOSFET N-CH 700V 20A TO-247

Produttori: STMicroelectronics

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