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Specifiche

Modello di prodotti

STU95N4F3
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 40V 80A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STU95N4F3.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

I-PAK
Serie

STripFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

6.5 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

110W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

40V
Descrizione dettagliata

N-Channel 40V 80A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STU95N4F3".

2225Y0100184MXT

Descrizione: CAP CER 0.18UF 10V X7R 2225

Produttori: Knowles Syfer

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RFQ

Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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