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Specifiche

Modello di prodotti

STU8N80K5
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

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Descrizione

MOSFET N CH 800V 6A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STU8N80K5.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-251
Serie

SuperMESH5™
Rds On (max) a Id, Vgs

950 mOhm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

110W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi

497-13658-5
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

16.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

800V
Descrizione dettagliata

N-Channel 800V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-251
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STU8N80K5".

CMF701R0000JLEK

Descrizione: RES 1 OHM 1.75W 5% AXIAL

Produttori: Dale / Vishay

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Stal***e

20/05/2025

5.0

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