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Specifiche

Modello di prodotti

STU3N62K3
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STU3N62K3.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

I-PAK
Serie

SuperMESH3™
Rds On (max) a Id, Vgs

2.5 Ohm @ 1.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

45W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi

497-12695-5
STU3N62K3-ND
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

385pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

620V
Descrizione dettagliata

N-Channel 620V 2.7A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2.7A (Tc)

Notizie correlate
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Descrizione:

Produttori: LAPIS Semiconductor

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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