STU150N3LLH6

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Specifiche

Modello di prodotti

STU150N3LLH6
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STU150N3LLH6.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

I-PAK
Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (max) a Id, Vgs

3.3 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

110W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi

497-12693-5
STU150N3LLH6-ND
temperatura di esercizio

175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4040pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 80A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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