STT7P2UH7

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Specifiche

Modello di prodotti

STT7P2UH7
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STT7P2UH7.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-23-6
Serie

STripFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

22.5 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SOT-23-6
Altri nomi

497-15157-2
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2390pF @ 16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

P-Channel 20V 7A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMB

Produttori: STMicroelectronics

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